ReRAM, un nou tip de memorie RAM

   Compania Japoneză Elpida a dezvăluit prototipul unei memorii non-volatile RAM. Botezată ReRAM (Resistance RAM), aceasta combină părţile bune ca viteza de accesare a memoriei DRAM folosite în prezent, dar care este volatilă – când se întrerupe alimentarea conţinutul  dispare – şi partea bună din memoria tip NAND sau mai explicit orice memorie USB pe care o folosim în prezent, cu memorare permanentă a datelor.

   După testele puse la dispoziţie de Elpida, ReRAM se poate lăuda cu o viteză de accesare de 10 nanosecunde şi un număr de 1 milion de rescrieri, ceea ce reprezintă o îmbunătăţire de 10 ori. Deşi acum nu este gata pentru comercializare, compania speră ca pânăîn 2013 să aibă un produs viabil. Această memorie va putea fi flosită în special pentru telefoane şi tablete, gadgeturi care necesită un consum mai mic de energie şi o viteză sporită din partea componentelor foarte mici.

   Cu toate astea, ReRAM nu este singura memorie care combină părţile bune din memoriile enumerate mai sus. IBM lucrează şi ei la un tip de memorie magnetorezistivă (MRAM).

Lasă un răspuns

Adresa ta de email nu va fi publicată. Câmpurile obligatorii sunt marcate cu *

Acest sit folosește Akismet pentru a reduce spamul. Află cum sunt procesate datele comentariilor tale.